A Discrete Defect Created during the Phosphorus Diffusion of High Voltage Planar Si Thyristors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1992-08, Vol.132 (2), p.K109-K112
Hauptverfasser:	Storch, W., Mohr, U., Elstner, L., Leihkauf, R.
Format:	Artikel
Sprache:	ger
Online-Zugang:	Volltext
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