The Dissociation of Dislocations in Pure and Doped GaAs Crystals

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1989-07, Vol.114 (1), p.113-126
Hauptverfasser: Khodos, I. I., Sh. Shikhsaidov, M., Snighireva, I. I., Ushakova, A. P., Nikolaichik, V. I.
Format: Artikel
Sprache:ger
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2211140108