Electrical effects associated with the ordering process in CdInGaS4 crystals. II. Electron traps determined with conductivity measurements

The electron trap distribution between 0.8 to 0.6 eV under the conduction band minimum of the ordered phase in the layered compound CdInGaS4 is determined by I–U and I‐1000/T measurements. Disordered crystals of this compound seem to have an inhomogeneous trap distribution, as indicated by I–U‐ and I‐1000/T measurements. Die Elektronenhaftstellenverteilung zwischen 0,8 und 0,6 eV unterhalb des Leitungsbandminimums der geordneten Phase der Schichtstruktur CdInGaS4 wird mittels I–U‐ und I‐1000/T‐Messungen bestimmt. Fehlgeordnete Kristalle dieser Verbindung scheinen eine inhomogene Haftstellenverteilung zu besitzen, wie die I–U‐ und I‐1000/T‐Messungen zeigen.