Photoluminescence of Te-Doped Gallium Antimonide Crystals

The evolution of photoluminescence spectra and variation of the degree of polarization of emission of GaSb(Te) crystals under uniaxial pressure are studied in the Hall concentration range 2 × 1017 to 2 × 10−3 cm−3 It is shown, that the PL spectra are adequately described by a theory which takes into...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1984-08, Vol.84 (2), p.541-545
Hauptverfasser: Cnaikina, E. I., Egemberdieva, S. Sh, Filipchenko, A. S.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:The evolution of photoluminescence spectra and variation of the degree of polarization of emission of GaSb(Te) crystals under uniaxial pressure are studied in the Hall concentration range 2 × 1017 to 2 × 10−3 cm−3 It is shown, that the PL spectra are adequately described by a theory which takes into account electron transition from the e‐band to the second ionized state of the acceptor. The pressure coefficient of the shift of the L‐minimum is found equal to 10 × 10−3 meV/kg cm−2. An estimate of the deformational potential constant is also made. Die Entwicklung der Photolumineszenzspektren und die Anderung des Polarisationsgrades der Emission von GaSb(Te)‐Kristnllen linter uniaxialem Druck XT erden im Hallkonzentrationsbereieh von 2 × 1017 bis 2 × 1018 cm−3 untcrsncht. Es wird gezeigt, dall die PL‐Spektren, idäquat beschrirben werden mit einer Theorie, die einen Elektronenübergnng vom c‐Band zum zweiten Ionisationszustand des Akzeptors berücksiehtigt. Der Druckkoeffizient der L‐Minimum‐Verschiebung betragt 10 × 10−3 meV/kg cm−2. Eine Berechnung der Konstanten des Dcformations‐potentials wird ebenfalls durehgeführt.
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2210840225