On the Mechanism of Electron-Impact-Excited Luminescence in AC Thin Film Devices: ZnSe:Mn

Two thresholds are relevant for the mechanism of impact excitation in thin film ELD's: The field strength Et at which tunnel emission from the interface states (IS interface of the MISIM structure) starts and the field Ea, above which electrons are loss‐free (ballistically) accelerated. It was previously shown, that Al2O3‐ZnS:Mn‐Al2O3 implement the case Et > Ea – every tunnel‐emitted electron immediately becomes hot. Replacing ZnS by ZnSe in otherwise identical structures reverses the relation (Ea > Et) – rather cold electrons are transferred. The experimental verification is twofold, by (time‐averaged) efficiency measurements and by the time resolved behaviour of current and brightness within one (every) excitation period. Für den Mechanismus der Stoßanregung von Dünnfilm‐Elektrolumineszenzstrukturen sind zwei Schwellen von Bedeutung: Die Feldstärke Et bei der die Tunnelemission aus Grenzflächenzuständen beginnt (IS Grenzfläche der MISIM‐Struktur) und das Feld Ea oberhalb dessen die Elektronen verlustlos (ballistisch) beschleunigt werden. Es wurde früher gezeigt, daß Al2O3‐ZnS:Mn‐A12Oe Strukturen den Fall Et > Ea realisieren — jedes tunnel‐emittierte Elektron wird unmittelbar heiß Das Ersetzen von ZnS durch ZnSe in sonst identischen Strukturen führt zu einer Umkehrung dieser Relation (Ea < Et), so daß ziemlich kalte Elektronen transferiert werden. Dies wurde durch (zeitgemittelte) Ausbeutemessungen und durch zeitaufgelöste Messungen von Strom und Helligkeit innerhalb einer (jeder) Anregungsperiode verifiziert.