Annealin g of Luminescent ZnSe:Mn Thin Films by a Scanning CW Laser Beam

Thin polycrystalline ZnSe:Mn films made by vacuum deposition on amorphous glass substrates are annealed by the scanned beam of a high‐power argon cw laser operated at the 457.9 nm wavelength. Melting and degradation of the films is observed if the laser intensity exceeded distinct threshold values which were characteristic for each of the both processes. The thresholds are determined by a new method which takes advantage of the Gaussian intensity profile of the laser beam and may be generally applied for systems of an absorbing thin film on a nonabsorbing substrate with low thermal conductivity. Cathodoluminescence measurements indicate that the luminescence properties of the ZnSe:Mn films can be improved by cw laser annealing with intensities ranging between the melting and the degradation threshold. Dünne polykristalline ZnSe: Mn‐Schichten werden im Hochvakuum auf amorphe Glassubstrate aufgedampft und mit dem uber die Schichtoherfläche bewegten Strahl eines cw‐Argonlasers hoher Leistung behandelt (Λ = 457,9 nm). Oberhalb charakteristischer Schwellenwerte nird zunächst ein Aufschmelzen und, bei höheren Intensitäten, eine Degradation der Schichten beobachtet. Die entsprechenden Schwellenwerte werden mit Hilfe eines neuen Verfahrens ermittelt, das die Gaußkurvenverteilung der Intensität des Laserstrahls ausnutzt und für Systeme einer dünnen absorbierenden Sohicht auf einem nichtabsorbierenden Substrat geringer Wärmeleitfähigkeit all‐gemein anwendbar ist. Kathodolumineszenzmessungen ergeben, daß die Lumineszenzeigenschaften der vorliegenden ZnSe: Mn‐Schichten durch eine cw‐Laserbehandlung verbessert werden kön‐nen, wenn die Laserintensitäten zwischen den Schwellenwerten für das Aufschmelzen und die Degradation gewrählt werden.