Influence of plastic deformation on superconducting properties of V3Si single crystals

Effects of the plastic deformation at elevated temperatures on the critical parameters Tc and jc of V3Si single crystals are reported. Plastic deformation can increase as well as decrease the critical temperature. The sign of the change in Tc can be attributed to different available point defect types on both sides from stoichiometry. In samples with excess V a decrease in Tc is observed combined with an increase of the electrical resistivity ratio r. The transition becomes broader and the critical current density increases with the deformation. In samples with excess Si the critical temperature is found to be increased as r decreases, at the same time the critical current density is lowered. Es wird über den Einfluß der plastischen Verformung auf die kritischen Parameter Tc und jc von V3Si‐Einkristallen berichtet. Plastische Verformung kann Tc sowohl erhöhen als auch erniedrigen. Das Vorzeichen der Tc‐Änderung kann auf die unterschiedlich vorhandenen Punktdefekttypen zu beiden Seiten der Stöchiometrie zurückgeführt werden. An Proben mit V‐Überschuß wird eine Absenkung von Tc mit der Zunahme des Widerstandsverhältnisses r beobachtet. Der Übergang wird breiter und die kritische Stromdichte nimmt mit der Verformung zu. An Proben mit Si‐Überschuß wird eine Erhöhung von Tc bei Abnahme von r gefunden. Die kritische Stromdichte wird erniedrigt.