Investigations on the diffusion of implanted zinc in GaAs1-xPx by ion microprobe

Zinc is implanted with an energy of 100 ke V and a dose of 4 × 1015 cm−2 in GaAs1‐ xPx VPE layers. The zinc concentration distribution after annealing at temperatures between 650 and 850 °C is measured by the ion microprobe. Zinc diffuses from the implanted source redistributed at the beginning of t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1978-09, Vol.49 (1), p.279-284
Hauptverfasser:	Müller, G., Haubold, M., Schimko, R., Trapp, M., Schwarz, G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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