Investigations on the diffusion of implanted zinc in GaAs1-xPx by ion microprobe

Zinc is implanted with an energy of 100 ke V and a dose of 4 × 1015 cm−2 in GaAs1‐ xPx VPE layers. The zinc concentration distribution after annealing at temperatures between 650 and 850 °C is measured by the ion microprobe. Zinc diffuses from the implanted source redistributed at the beginning of the annealing with a maximum concentration essentially below the maximum solubility of zinc in GaAsP. In the temperature range of 650 to 750 °C the implanted layer acts as an infinite source. The diffusion behaviour at 850°C is analogous to the diffusion from a limited source. The diffusion coefficient D depends on concentration and location. Zink wird mit einer Energie von 100 keV und einer Dosis von 4 × 1015 cm−2 in GaAs1‐xPx‐VPE‐Schicten implantiert. Der Zink‐Konzentrationsverlauf wird nach der Temperung bei Temperaturen von 650 bis 850 °C mit der Ionensonde gemessen. Zink diffundiert aus der zu Beginn des Temperprozesses umverteilten implantierten Quelle mit einer Maximalkonzentration wesentlich unterhalb der maximalen Löslichkeit von Zink in GaAsP. Im Temperaturbereich von 650 bis 750 °C wirkt die implantierte Schicht als unbegrenzte Quelle. Das Diffusionsverhalten bei 850 °C ist analog zur Diffusion aus einer begrenzten Quelle. Der Diffusionskoeffizient D ist konzentrations und ortsabhängig.