Growth and characterization of silicon ribbons produced by a capillary action shaping technique

Silicon ribbons 0.5 mm in thickness were grown by a capillary action shaping technique using graphite capillary dies. Ribbons up to 1.3 m in length and 12 mm in width were obtained. Crystallographic ribbon perfection was studied through X‐ray topography. MOS structures were used to measure minority carrier lifetimes. Unintentionally doped ribbons were approximately 10 Ωcm and p‐type. Ribbons of high perfection had lifetime values comparable to those measured on zero dislocation density Czochralski‐grown substrates, i.e. greater than 100 μs. Siliziumbänder von 0,5 mm Dicke wurden mit Hilfe eines Graphitstempels, der eine Kapillare enthielt, und durch Anwendung einer Kristallziehtechnik, die auf der Kapillarwirkung beruht, hergestellt. Es wurden 1,3 m lange und 12 mm breite Siliziumbänder gezogen. Die kristallographische Perfektion der Bänder wurde durch Röntgentopographie untersucht. Die Minoritätsträgerlebensdauer in den Siliziumbändern wurde mit Hilfe von MOS‐Strukturen gemessen. Unabsichtlich dotierte Bänder hatten einen Widerstand von 10 Ωcm und waren p‐dotiert. Bänder mit guter Perfektion ergaben für die Lebensdauer Werte von 100 μs und besser. Diese Daten sind vergleichbar mit Werten die man an guten Czochralskigezogenen Siliziumscheiben erhält.