High-temperature stress relaxation in LiF crystals

Relaxation of the compressive stress, σ, following plastic pre‐strain, was studied in 〈100〉 oriented high‐purity LiF crystals in the range 250 to 700 °C. A suitable correlation of the measurements was possible by means of the equation d In σ/d In (t – t0) = ‐kT/H, with t0 generally negligible, and H a constant equal to about 0.90 eV. The relation is compatible with a model in which the dominant mode of recovery involves mutual annihilation of screw dislocations through cross‐slip. The formation of point‐defect agglomerates, such as could be expected to accompany this type of recovery process, is confirmed by measurements of the optical absorption of crystals X‐irradiated after deformation. Die Relaxation der Druckspannung, σ, wurde in hochreinen 〈100〉‐orientierten LiF‐Kristallen im Temperaturbereich von 250 bis 700 °C untersucht. Zur Beschreibung der Messungen ließ sich die Gleichung d In σ/d In (t – t0) = ‐kT/H gut anwenden. H beträgt ungefähr 0,90 eV; t0 ist gewöhnlich vernachlässigbar. Die Form der Gleichung läßt auf ein Modell schließen, in welchem die Erholung hauptsächlich durch die gegenseitige Auflösung von Schraubenversetzungen, durch Quergleitung bedingt, zustande kommt. Das Vorkommen von Punktfehleranhäufungen, welches erwartungsgemäß solche Erholungsvorgänge begleitet, wurde durch Messungen der optischen Absorption verformter Kristalle nach deren Röntgenbestrahlung nachgewiesen.