A doped highly compensated crystal semiconductor as a model of amorphous semiconductors

The model of a large‐scale potential relief is used to explain the most striking effects typical for the amorphous semiconductor, the switching and the memory. The potential relief was produced experimentally in a classical crystal semiconductor, n‐germanium, by compensation with fast neutrons. This results in the appearance of properties characteristic for amorphous semiconductors. Both phenomena, the switching and the memory, are revealed. Also other effects essential in context with the ideas developed, are observed. The experimental investigations performed reveal an extensive analogy between highly compensated crystal and amorphous semiconductors. Das Modell eines Potentialreliefs im vergrößerten Maßstab wird zur Erklärung der beiden auffälligsten Effekte des amorphen Halbleiters, des Schalteffekts und des Gedächtniseffekts, benutzt. Das Potentialrelief wird experimentell in einem klassischen Kristallhalbleiter, n‐Germanium, durch Kompensation mit schnellen Neutronen hergestellt. Dies führt zum Auftreten von Eigenschaften, die für amorphe Halbleiter charakteristisch sind. Beide Phänomene, der Schalteffekt und der Gedächtniseffekt, werden gefunden. Auch andere Effekte, die im Zusammenhang mit den entwickelten Ideen wesentlich sind, werden beobachtet. Die experimentellen Untersuchungen zeigen eine weitgehende Analogie zwischen hochkompensierten Kristallen und amorphen Halbleitern.