Epitaxial growth and luminescence of CdSxSe1−x graded gap single crystal layers

Single crystalline epitaxial layers of CdSxSe1−x (0 < x < 1) were grown by gas transport of CdS and CdSe on slices of CdS. In this way graded gap crystal layers of up to 200 μm thickness were obtained. By means of an electron beam microprobe the concentration sulphide‐selenide (x) as function of the position was determined. The luminescence of the layers was studied using electron beam excitation. Epitaktische CdSxSe1−x ‐Schichten (0 < x < 1) mit gradiertem Bandabstand wurden hergestellt. Die Schichten waren bis zu 200 μm dick. Der Verlauf des Mischungsverhältnisses Sulfid–Selenid wurde mit einer Elektronenstrahlmikrosonde ausgemessen. An den Schichten wurden Lumineszenzmessungen mit Elektronenstrahlanregung durchgeführt.