Some special features of subthreshold radiation effect in silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Phys. Status Solidi (a) 8: No. 2, K133-5(16 Dec 1971) K133-5(16 Dec 1971), 1971-12, Vol.8 (2), p.K133-K135
Hauptverfasser:	Zaikovskaya, M. A., Kiv, A. E., Niyazova, O. R.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	BORON DEFECTS DOPED MATERIALS ELECTRONS/effects on boron-doped p-type silicon at subthreshold energies ENERGY LEVELS HOLES LOW TEMPERATURE MEDIUM TEMPERATURE N74100 -Physics (Solid State)-Radiation Effects P-TYPE CONDUCTORS RADIATION EFFECTS SILICON SILICON/radiation effects on boron-doped p-type, subthreshold electron TEMPERATURE DEPENDENCE THRESHOLD ENERGY
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