Optical and photoelectrical properties of MnxHg1−xTe system in the region of semimetal-semiconductor transition

Internal photoeffects in the near and middle infrared regions (1.5 and 10.6 μm) (both of thermal and quantum origin) were measured in MnxHg1−xTe single crystals at temperature of liquid helium to room temperature. The results together with data on the spectral transmission and temperature dependence of galvanomagnetic properties prove the occurrence of a semimetal–semiconductor transition (near x = 0.13), followed by the change of the origin of the photoeffect. Some values of carrier lifetimes, diffusion lengths, and effective masses are given. Innere Photoeffekte im nahen und mittleren Infrarotbereich (1,5 und 10,6 μm) (sowohl thermischen Ursprungs als auch Quantenursprungs) wurden in MnxHg1−xTe‐Einkristallen im Bereich zwischen der Temperatur des flüssigen Heliums und Zimmertemperatur gemesen. Die Ergebnisse lassen zusammen mit Werten der spektralen Transmission und Temperaturabhängigkeit der galvanomagnetischen Eigenschaften auf einen Halbmetall–Halbleiterübergang (bei etwa x = 0,13) schließen, der von einem Wechsel der Ursache des Photo‐effekts begleitet ist. Einige Werte der Ladungsträgerlebensdauer, Diffusionslänge und effektiven Massen werden angegeben.