Monolayer‐Range Compositional Modulations in Al x Ga 1− x N ( x  = 0.6–0.75) Layers Grown Using Plasma‐Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me‐Rich Conditions with an Off‐Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2022-03, Vol.219 (6)
Hauptverfasser:	Jmerik, Valentin, Nechaev, Dmitrii, Yagovkina, Maria, Sitnikova, Alla, Troshkov, Sergey, Rzheutski, Mikalai, Lutsenko, Eugenii, Rouvimov, Sergei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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