Device Feasibility of Ferroelectric Field‐Effect Transistors Using Al‐Doped HfO 2 Gate Insulator Deposited with H 2 O Oxygen Precursor during Atomic Layer Deposition Process

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2021-05, Vol.218 (10)
Hauptverfasser:	Kim, Jin-Ju, Yoon, So-Jung, Kim, Yeriaron, Moon, Seung-Eon, Yoon, Sung-Min
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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