Unveiling the Role of Al 2 O 3 Interlayer in Indium–Gallium–Zinc–Oxide Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2021-03, Vol.218 (6)
Hauptverfasser:	Kim, Tae Hyeon, Park, Woojin, Oh, Seyoung, Kim, So-Young, Yamada, Naohito, Kobayashi, Hikaru, Jang, Hye Yeon, Nam, Jae Hyeon, Habazaki, Hiroki, Lee, Byoung Hun, Cho, Byungjin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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