Halide Vapor Phase Epitaxy of In 2 O 3 and (In 1− x Ga x ) 2 O 3 on Sapphire Substrates and GaN/Al 2 O 3 Templates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2021-02, Vol.218 (3)
Hauptverfasser:	Stepanov, Sergey, Nikolaev, Vladimir, Pechnikov, Alexei, Scheglov, Mikhail, Chikiryaka, Andrei, Chernykh, Alexey, Odnobludov, Maxim, Andreeva, Valentina, Polyakov, Alexander Y.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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