Ferroelectric Polarization Switching Behavior of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Gate Dielectrics on Gallium Nitride High‐Electron‐Mobility‐Transistor Heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2020-04, Vol.217 (7)
Hauptverfasser:	Wu, Chunlei, Ye, Hansheng, Grisafe, Benjamin, Datta, Suman, Fay, Patrick
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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