Interaction of Radiation‐Induced Self‐Interstitials with Vacancy‐Oxygen Related Defects V n O 2 (n from 1 to 3) in Silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2019-05, Vol.216 (10)
Hauptverfasser:	Murin, Leonid I., Tolkacheva, Ekaterina A., Lastovskii, Stanislau B., Markevich, Vladimir P., Mullins, Jack, Peaker, Anthony R., Svensson, Bengt G.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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