Normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al 0.45 Ga 0.55 N barrier layer: Normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2017-08, Vol.214 (8), p.1600836
Hauptverfasser:	Chakroun, Ahmed, Jaouad, Abdelatif, Bouchilaoun, Meriem, Arenas, Osvaldo, Soltani, Ali, Maher, Hassan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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