Facet dependence of leakage current and carrier concentration in m-plane GaN Schottky barrier diode fabricated with MOVPE: Facet dependence of leakage current and carrier concentration

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Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2017-08, Vol.214 (8), p.1600829
Hauptverfasser:	Tanaka, Atsushi, Barry, Ousmane, Nagamatsu, Kentaro, Matsushita, Junya, Deki, Manato, Ando, Yuto, Kushimoto, Maki, Nitta, Shugo, Honda, Yoshio, Amano, Hiroshi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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