Reduction of basal plane defects in (11-22) semipolar InGaN/GaN MQWs fabricated on patterned (113) Si substrates by introducing AlGaN barrier layers: Reduction of basal plane defects in (11-22) semipolar InGaN/GaN

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2017-08, Vol.214 (8), p.1600823
Hauptverfasser: Uesugi, Kenjiro, Hikosaka, Toshiki, Ono, Hiroshi, Sakano, Tatsunori, Nunoue, Shinya
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1862-6300
DOI:10.1002/pssa.201600823