Epitaxial lateral overgrowth of Ga x In 1 − x P toward direct Ga x In 1 − x P/Si heterojunction

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2017-03, Vol.214 (3)
Hauptverfasser:	Omanakuttan, Giriprasanth, Stergiakis, Stamoulis, Sahgal, Abhishek, Sychugov, Ilya, Lourdudoss, Sebastian, Sun, Yan‐Ting
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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