Heterostructures of GaN with SiC and ZnO enhance carrier stability and separation in framework semiconductors: Heterostructures of GaN with SiC and ZnO

Heterostructures of GaN with SiC and ZnO enhance carrier stability and separation in framework semiconductors: Heterostructures of GaN with SiC and ZnO

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2017-04, Vol.214 (4), p.1600440
Hauptverfasser: Farrow, Matthew R., Buckeridge, John, Lazauskas, Tomas, Mora-Fonz, David, Scanlon, David O., Catlow, C. Richard A., Woodley, Scott M., Sokol, Alexey A.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1862-6300
DOI:10.1002/pssa.201600440