The effect of bottom LaB 6 electrode and La 2 O 3 interlayer on resistance switching in devices based on Li‐doped ZnO films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2016-06, Vol.213 (6), p.1592-1597
Hauptverfasser: Kafadaryan, Y., Igityan, A., Aghamalyan, N., Petrosyan, S.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1862-6300
1862-6319
DOI:10.1002/pssa.201533004