Influence of gate dielectric/channel interface engineering on the stability of amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors: Gate dielectric/channel interface engineering of a-IGZO TFTs

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Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applications and materials science Applications and materials science, 2014-09, Vol.211 (9), p.2126-2133
Hauptverfasser:	Cho, Sung Haeng, Ryu, Min Ki, Kim, Hee-Ok, Kwon, Oh-Sang, Park, Eun-Sook, Roh, Yong-Suk, Hwang, Chi-Sun, Park, Sang-Hee Ko
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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