Subthreshold irradiation effects in silicon epitaxial films

Irradiation‐induced changes in the electrical resistance (ΔR/Ro) of silicon epitaxial films subjected to bombardment with electrons of energies up to 100 keV were studied. The investigated effects (dose, energy, and other dependences) on epitaxial layers of various thickness give new information on the subthreshold mechanism of damage production and the passage of low‐energy electrons through semiconductors. Strahlungsbedingte Veränderungen des elektrischen Widerstandes ΔR/Ro von Silizium‐Epitaxieschichten, die mit Elektronen mit Energien bis zu 100 keV beschossen wurden, werden untersucht. Die an Epitaxieschichten unterschiedlicher Dicke untersuchten Effekte (Dosis‐, Energie‐ und andere Abhängigkeiten) geben neue Informationen über den unterschwelligen Mechanismus der Defekterzeugung und den Durchgang niederenergetischer Elektronen durch Halbleiter.