On the electric conductivity of GaTe single crystals with tin impurities in strong electric fields

The electric conductivity σ of GaTe single crystals containing Sn impurities has been measured in pulsed electric fields up to 4 × 104 V/cm having a pulse duration of 4 μs and a pulse repetition rate of 50 Hz in the temperature range from 100 to 300 °K. It has been established that in p‐GaTe single crystals Sn impurities of a concentration up to 0.08 wt% compensate acceptor levels by producing donor levels which leads to an decrease in conductivity by five orders. It is shown that the field and temperature dependence of σ for a GaTe:Sn single crystal is governed by Frenkel's mechanism (σ = σ0exp\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$(\beta \sqrt {E)}$\end{document}) and by impurity conductivity mechanism. Die elektrische Leitfähigkeit σ von GaTe‐Einkristallen mit Sn‐Zusätzen wurde mit elektrischen Impulsfeldern bis zu 4 × 104 V/cm bei einer Impulsbreite von 4 μs und einer Wiederholungsfrequenz von 50 Hz zwischen 100 und 300 °K untersucht. Es wurde festgestellt, daß Sn‐Verunreinigungen bis zu 0,08 Gew.% Akzeptorniveaus durch die Bildung von Donatoren in p‐leitenden GaTe‐Einkristallen kompensieren, was zu einer Verringerung der Leitfähigkeit um fünf Größenordnungen führt. Es wird gezeigt, daß die Feld‐ und Temperaturabhängigkeit von σ für GaTe:Sn‐Einkristalle durch einen Frenkel‐ (σ = σ0exp\documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$(\beta \sqrt {E)}$\end{document}) und einen Fremdleitungsmechanismus gesteuert wird.