The reduction of reflective notches using "dyed" resist
Variation in line width caused by light scattered from the substrate (reflective notching) is a major problem in VLSI lithography. This paper demonstrates the reduction of reflective notches using a resist with increased absorptivity (a dyed resist). The optimal set of process conditions which minim...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Polymer engineering and science 1986-09, Vol.26 (16), p.1165-1170 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!