Contribution to the Si doping of bridgeman GaAs

GaAs: Si with different doping level was grown by the gradient freeze method. The crystals were characterized by structural, electrical and optical methods concerning especially the dependence of the epd and the compensation degree on the carrier concentration. GaAs: Si mit unterschiedlichem Dotierungsniveau wurde nach der gradient freeze‐Methode gezüchtet. Die Kristalle wurden charakterisiert mittels struktureller, elektrischer und optischer Methoden insbesondere im Hinblick auf die Abhängigkeit der Ätzgrubendichte und des Kompensationsgrades von der Ladungsträgerkonzentration.