Crystal structures of two quenched CuInSe phases
The crystal structures of the δ‐phase with a composition of Cu0.46In1.18Se2.00 and of a Cu‐poor β‐phase with a composition of Cu0.39In1.20Se2.00, both quenched from 750 °C, have been determined with single crystals. The δ‐phase crystallizes with a = 576.2(4) pm in the ZnS‐type structure (space group...
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Veröffentlicht in: | Crystal research and technology (1979) 1988-10, Vol.23 (10-11), p.1347-1354 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | The crystal structures of the δ‐phase with a composition of Cu0.46In1.18Se2.00 and of a Cu‐poor β‐phase with a composition of Cu0.39In1.20Se2.00, both quenched from 750 °C, have been determined with single crystals. The δ‐phase crystallizes with a = 576.2(4) pm in the ZnS‐type structure (space group F43m), the β‐phase with a = 575.5(3) pm, c = 1152.0(4) pm and Z = 4 in a new structure type for tetrahedral structures with the space group P42c. In both compounds the cations are statistically distributed together with vacancies. The number of vacancies is estimated from the crystal structure analyses and results to be (Cu0.54(2)In1.15(2)□0.30(2)) Se2 for the δ‐phase and (Cu0.36In1.09□0.55) (Se1.80□0.20) for the Cu‐poor β‐phase.
Die Kristallstrukturen der δ‐Phase mit der Zusammensetzung Cu0.46In1.18Se2.00 und einer Cu‐armen β‐Phase mit der Zusammensetzung Cu0.39In1.20Se2.00 wurden mit Einkristallen bestimmt. Beide Phasen wurden von 750 °C abgeschreckt. Die δ‐Phase kristallisiert mit a = 576.2(4) pm im ZnS‐Typ (Raumgruppe F43m), die β‐Phase mit a = 575.5(3) pm, c = 1152.0(4) pm und Z = 4 in der Raumgruppe P42c in einem neuen Strukturtyp für Tetraederstrukturen. In beiden Verbindungen sind die Kationen partiell statistisch verteilt mit Leerstellen. Die Zahl der Leerstellen wurde aus den Strukturbestimmungen abgeschätzt: (Cu0.54(2)In1.15(2)□0.30(2)) Se2 für die δ‐Phase und (Cu0.36In1.09□0.55) (Se1.80□0.20) für die Cu‐arme β‐Phase. |
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ISSN: | 0232-1300 1521-4079 |
DOI: | 10.1002/crat.2170231027 |