Metalorganic chemical vapour deposition of oriented ZnO films

Thin uniform films of ZnO could be obtained by MOCVD using Zn(CH3)2‐THF adduct and H2O as reactants. The film growth was carried out at atmospheric pressure. A vertical resistance‐heated cold‐wall reactor system was used. Highly c‐axis oriented ZnO films being very smooth and having a low resistivity were grown on (100)Si and (100)Si/SiO2 under certain conditions. Epitaxial growth could be achieved on (1102)‐sapphire. The dependence of the properties of the films on the growth conditions was investigated. Dünne ZnO‐Schichten konnten durch MOCVD unter Verwendung von Zn(CH3)2‐THF und H2O als Reaktanten erhalten werden. Das Filmwachstum wurde bei Atmosphärendruck durchgeführt. Es wurde ein vertikales, widerstandbeheiztes Kaltwandreaktorsystem verwendet. Auf (100)Si und (100)Si/SiO2 wurden bei bestimmten Bedingungen sehr ebene ZnO‐Schichten mit stark ausgeprägter c‐Achsentextur abgeschieden. Epitaktisches Wachstum konnte auf (1102) Saphir erreicht werden. Die Abhängigkeit der Filmeigenschaften von den Wachstumsbedingungen wurden untersucht.