Doping of PbTe with Ga during Growth from the Vapour Phase

In the present paper a method for doping of PbTe with Ga during crystal growth from the vapour phase is presented. The galvanomagnetic and photoelectric properties of the produced material are compared with results of other techniques and the equivalence of these physical properties is proved. Furthermore a defect model of the build‐in mechanism of Ga in PbTe is shown. In der vorliegenden Arbeit wird ein Verfahren zur Ga‐Dotierung von PbTe beim Kristallwachstum aus der Dampfphase vorgestellt. Das hergestellte Material wird hinsichtlich seiner galvanomagnetischen und photoelektrischen Eigenschaften mit den Ergebnissen anderer Herstellungstechnologien verglichen und die Äquivalenz dieser physikalischen Erscheinungen nachgewiesen. Darüber hinaus wird ein Defektmodell für den Einbau von Ga in PbTe vorgeschlagen.