Electrical properties of ZnO single crystals annealed in a zinc atmosphere

The electrical conductivity and the Hall coefficient of ZnO single crystals annealed in a zinc atmosphere after growth were measured in a temperature range from 77 K to 1000 K. The results are compared with those of ZnO crystals from the zinc rich phase boundary. A shallow level with an activation energy at about 15 meV dominates in both groups of samples. Its concentration was found to correlate directly with the degree of non‐stoichiometry. Die elektrische Leitfähigkeit und der Hallkoeffizient wurden an ZnO‐Einkristallen, die nach der Züchtung in einer Zinkatmosphäre getempert worden waren, in einem Temperaturbereich von 77 K bis 1000 K gemessen. Die Resultate werden mit ZnO‐Kristallen verglichen, die an der Phasengrenze ZnO/Zn gezüchtet wurden. Ein flaches Niveau mit einer Aktivierungsenergie von etwa 15 meV dominiert in beiden Kristallgruppen. Seine Konzentration ist ein direktes Maß für die Nichtstöchiometrie.