Properties of oriented TTF-TCNQ thin films
Vapour deposited thin films of the organic molecular complex tetrathiafulvaliniumtetracyanoquinodimethane (TTF‐TCNQ) are investigated by electrical and electronmicroscopical methods. Morphology studies by means of electron micrographs show, that the thin films up to thicknesses of 300 nm consist of...
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Veröffentlicht in: | Kristall und Technik 1980, Vol.15 (2), p.243-251 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | Vapour deposited thin films of the organic molecular complex tetrathiafulvaliniumtetracyanoquinodimethane (TTF‐TCNQ) are investigated by electrical and electronmicroscopical methods. Morphology studies by means of electron micrographs show, that the thin films up to thicknesses of 300 nm consist of small crystals of a size of 1.2 · 0.2 μm2 (deposited on cleaved (100) faces of NaCl) or 15 · 2 μm2 (on glass substrate). Dependend on deposition conditions and on material of the substrate thin films are produced with strong or statistic orientation of this crystals. Strong oriented thin films exhibit conductivities up to σ = 65 ω−1 cm−1 and activation energies of WA = 0.02 eV. The found dependences of the conductivity on electrical field strength. temperature, and size of microcrystals are explained by a linear hopping model.
An aufgedampften Dünnschichten des organischen Komplexes Tetrathiafulvalin‐Tetracyanchinodimethan (TTF‐TCNQ) wurden elektronenmikroskopische und elektrische Untersuchungen durchgeführt. Die elektronenmikroskopischen Aufnahmen zeigten, daß die bis zu 300 nm dicken TTF‐TCNQ‐Schichten aus kleinen Kristalliten der Größe 1,2 · 0.2 μm2 (auf NaCl‐Substrat) bzw. 15 · 2 μm2 (auf Glassubstrat) zusammengesetzt sind. In Abhängigkeit von den Aufdampfbedingungen und dem Substratmaterial werden Schichten mit starker und mit statistischer Orientierung gefunden. An stark orientierten Schichten wurden elektrische Leitfähigkeiten bis zu σ = 65 ω−1 cm−1 und Aktivierungsenergien von WA = 0,02 eV ermittelt. Die gemessenen Abhängigkeiten der Leitfähigkeit von Spannung, Temperatur und Kristallitgröße können mit einem linearen Hoppingmodell angenähert erklärt werden. |
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ISSN: | 0023-4753 1521-4079 |
DOI: | 10.1002/crat.19800150223 |