Preparation of HgJ 2 single crystals and the effect of doping upon their physical properties

HgJ 2 single crystals both pure and doped were grown from an acetone solution using the method of the slow solvent evaporation. The iodides NaJ, KJ, SrJ 2 , CdJ 2 , NH 4 J were used as doping materials in concentrations from 0.01 to 2.0 wt%. The grown crystals were studied with respect to the influence of impurity doping on the electric conductivity and the phase transitions at atmospheric pressure (the DTA method) and high pressure as well (with the help of the high pressure optical cell). HgJ 2 ‐Einkristalle, rein bzw. dotiert, wurden aus einer Acetonlösung durch langsames Abdampfen des Lösungsmittels gezüchtet. Die Jodide NaJ, KJ, SrJ 2 , CdJ 2 und NH 4 J wurden als Dotierungsmaterialien in Konzentrationen zwischen 0,01 und 2,0 Gew.% verwendet. Die gezüchteten Kristalle wurden hinsichtlich des Einflusses der Dotierung auf die elektrische Leitfähigkeit und die Phasenübergänge bei Atmosphärendruck (DTA‐Methode) und auch bei hohem Druck (mit Hilfe einer Hochdruck‐optischen Zelle) untersucht.