Untersuchung von pn‐Übergängen mit und ohne Oxidschicht mittels Elektronenspiegelmikroskopie in Schattenabbildung

Für die Abbildung der Proben setzt die Kontrastübersteuerung eine Grenze, die theoretisch und durch Aufnahmen demonstriert wird. Der Kontrast der pn‐Übergänge mit Oxidschicht im Bild in Abhängigkeit von der Querspannung wird mit Fotometerkurven und durch Rechnung demonstriert. Es wird die Aufnahme einer kreisförmigen, positiven Aufladung gezeigt, deren Kontrast eine gute Übereinstimmung mit den Rechnungen von Lenz und Krimmel besitzt. The contrast distortion is the limit for the investigation of the samples. This effect is discussed theoretically and experimentally. The contrast of pn‐junctions covered with oxide layers is demonstrated as a function of the bias voltage and by a model of the equipotential surfaces. The contrast of pn‐junctions without oxide layers is demonstrated theoretically by a model of a voltage step and experimentally by curves of the photometer. The picture of a circular positive charge shows a good conformity with a theory from Lenz and Krimmel.