Neue Tellurometallate von Gallium und Indium: K[K([18]krone‐6)] 2 [GaTe 3 ] · 2CH 3 CN und [(NEt 4 ) 5 ][In 3 Te 7 ] · 0.5 Et 2 O

Die Tellurometallat‐Ionen [GaTe 3 ] 3 und [In 3 Te 7 ] 5 wurden durch chemische Reduktion von Ga 2 Te 3 bzw. In 2 Te 3 mit K in NH 3 in Gegenwart eines Komplexbildners hergestellt. Das [GaTe 3 ] 3 ‐Ion ist im wesentlichen trigonal‐planar; das [In 3 Te 7 ] 5 ‐Ion hat die Struktur eines Würfels, b...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Angewandte Chemie 1995-09, Vol.107 (17), p.2044-2045
Hauptverfasser: Park, Chang‐Woo, Salm, Robert J., Ibers, James A.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Tellurometallat‐Ionen [GaTe 3 ] 3 und [In 3 Te 7 ] 5 wurden durch chemische Reduktion von Ga 2 Te 3 bzw. In 2 Te 3 mit K in NH 3 in Gegenwart eines Komplexbildners hergestellt. Das [GaTe 3 ] 3 ‐Ion ist im wesentlichen trigonal‐planar; das [In 3 Te 7 ] 5 ‐Ion hat die Struktur eines Würfels, bei dem eine Ecke fehlt (Strukturbild rechts). Diese Anionen haben keine Gegenstücke in der S‐ oder Se‐Chemie. magnified image
ISSN:0044-8249
1521-3757
DOI:10.1002/ange.19951071729