Widerstandsmessungen am Bor und am Siliciumcarbid
Widerstandsmessungen an reinstem Bor sprechen dafür, daß der im Schrifttum angegebene hohe Wert des Widerstandes und seines Temperaturkoeffizienten nur durch isolierende Zwischenschichten vorgetäuscht wird. Der wahre Wert dürfte unter 1 Ohm × cm liegen. Zum Vergleich sind Messungen an klaren Siliciu...
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| Veröffentlicht in: | Annalen der Physik 1937-01, Vol.420 (3), p.245-263 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng ; jpn |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | Widerstandsmessungen an reinstem Bor sprechen dafür, daß der im Schrifttum angegebene hohe Wert des Widerstandes und seines Temperaturkoeffizienten nur durch isolierende Zwischenschichten vorgetäuscht wird. Der wahre Wert dürfte unter 1 Ohm × cm liegen.
Zum Vergleich sind Messungen an klaren Siliciumcarbidkristallen bei verschiedenen Temperaturen ausgeführt worden. |
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| ISSN: | 0003-3804 1521-3889 |
| DOI: | 10.1002/andp.19374200305 |