Low‐Power Computing: Vertical‐Tunneling Field‐Effect Transistor Based on WSe 2 ‐MoS 2 Heterostructure with Ion Gel Dielectric (Adv. Electron. Mater. 7/2020)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced electronic materials 2020-07, Vol.6 (7)
Hauptverfasser:	Jeon, Hyun Bae, Shin, Gwang Hyuk, Lee, Khang June, Choi, Sung‐Yool
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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