High‐Performance Amorphous InGaZnO Thin‐Film Transistors via Staked Ultrathin High‐k TaO x Buffer Layer Grown on Low‐k SiO 2 Gate Oxide

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced electronic materials 2017-03, Vol.3 (3)
Hauptverfasser:	Kang, Tae Sung, Yoon, Kap Soo, Baek, Gwang Ho, Ko, Won Bae, Yang, Seung Mo, Yeon, Bum Mo, Hong, Jin Pyo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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