Extremely Large Gate Modulation in Vertical Graphene/WSe 2 Heterojunction Barristor Based on a Novel Transport Mechanism

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Weinheim) 2016-07, Vol.28 (26), p.5293-5299
Hauptverfasser: Shim, Jaewoo, Kim, Hyo Seok, Shim, Yoon Su, Kang, Dong‐Ho, Park, Hyung‐Youl, Lee, Jaehyeong, Jeon, Jaeho, Jung, Seong Jun, Song, Young Jae, Jung, Woo‐Shik, Lee, Jaeho, Park, Seongjun, Kim, Jeehwan, Lee, Sungjoo, Kim, Yong‐Hoon, Park, Jin‐Hong
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0935-9648
1521-4095
DOI:10.1002/adma.201506004