High‐Mobility Sm‐Doped Bi 2 Se 3 Ferromagnetic Topological Insulators and Robust Exchange Coupling

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2015-09, Vol.27 (33), p.4823-4829
Hauptverfasser:	Chen, Taishi, Liu, Wenqing, Zheng, Fubao, Gao, Ming, Pan, Xingchen, van der Laan, Gerrit, Wang, Xuefeng, Zhang, Qinfang, Song, Fengqi, Wang, Baigeng, Wang, Baolin, Xu, Yongbing, Wang, Guanghou, Zhang, Rong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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