High‐Performance and Low‐Power Rewritable SiO x 1 kbit One Diode–One Resistor Crossbar Memory Array

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2013-09, Vol.25 (34), p.4789-4793
Hauptverfasser:	Wang, Gunuk, Lauchner, Adam C., Lin, Jian, Natelson, Douglas, Palem, Krishna V., Tour, James M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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