Magnetoresistance Switch Effect of a Sn‐Doped Bi 2 Te 3 Topological Insulator

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Advanced materials (Weinheim) 2012-01, Vol.24 (1), p.132-136
Hauptverfasser:	Zhang, Hong Bin, Yu, Hai Lin, Bao, Ding Hua, Li, Shu Wei, Wang, Cheng Xin, Yang, Guo Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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