High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Quantum electronics (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2009-08, Vol.39 (8), p.723-726, Article 723
Hauptverfasser:	Davydova, Evgeniya I, Zverkov, M V, Konyaev, V P, Krichevskii, V V, Ladugin, M A, Marmalyuk, Aleksandr A, Padalitsa, A A, Simakov, V A, Sukharev, A V, Uspenskii, Mikhail B
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!