退火时间对射频溅射p型透明SnO2/Al/SnO2导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响（英文）

退火时间对射频溅射p型透明SnO2/Al/SnO2导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响（英文）

采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明:所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示:500°C,1 h为最佳退火条件,该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·cm。退火时间为1~8 h时,p型SnO2/Al/SnO2复合薄膜的光透射率可达80%以上,退火1 h时薄膜的光透射率达到最大值。...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:中国有色金属学报：英文版 2014 (S1), p.129-133
1. Verfasser: Keun Young PARK Ho Je CHO Tae Kwon SONG Hang Joo KO Bon Heun KOO
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
p型
多层
脉冲激光沉积法(PLD)
透射率
透明导电氧化物(TCO)
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Beschreibung
Zusammenfassung:采用SnO2和Al靶,通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1~8 h)退火处理,研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明:所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示:500°C,1 h为最佳退火条件,该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·cm。退火时间为1~8 h时,p型SnO2/Al/SnO2复合薄膜的光透射率可达80%以上,退火1 h时薄膜的光透射率达到最大值。
ISSN:1003-6326