高质量单层MoS2的可控合成及其在微纳电子方面的应用（英文）

二维层状材料由于其在光电器件方面的潜在应用引起了广泛关注,二硫化钼（MoS2）是其中研究最多的材料之一.单层二硫化钼可通过机械剥离或者化学气相合成的方法制备,但是与石墨烯相比,大面积且高质量的单层二硫化钼单晶的可控合成仍然有待提高.本文报道了一种可控合成大面积高质量单层MoS2单晶的方法,合成出了边长达405μm的单层二硫化钼三角形.对产物进行了光谱表征,结果表明其光学性质十分均匀,透射电镜表征结果表明产物是单晶结构.基于单层MoS2的场效应晶体管（FET）表现出良好的电学性能,其载流子迁移率高达21.8 cm2 V-1 s-1,光响应度为7 A W-1,响应时间仅为20 ms.此合成方法使单...

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Veröffentlicht in:	中国科学：材料科学（英文版） 2016 (3), p.182-190
1. Verfasser:	杨小年李强胡国锋王泽高杨振宇刘兴强董明东潘曹峰
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	controlled method high-quality monolayer growth MoS2 parameters photoresponse properties synthesis
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	二维层状材料由于其在光电器件方面的潜在应用引起了广泛关注,二硫化钼（MoS2）是其中研究最多的材料之一.单层二硫化钼可通过机械剥离或者化学气相合成的方法制备,但是与石墨烯相比,大面积且高质量的单层二硫化钼单晶的可控合成仍然有待提高.本文报道了一种可控合成大面积高质量单层MoS2单晶的方法,合成出了边长达405μm的单层二硫化钼三角形.对产物进行了光谱表征,结果表明其光学性质十分均匀,透射电镜表征结果表明产物是单晶结构.基于单层MoS2的场效应晶体管（FET）表现出良好的电学性能,其载流子迁移率高达21.8 cm2 V-1 s-1,光响应度为7 A W-1,响应时间仅为20 ms.此合成方法使单层MoS2的制备更加简易可靠,可促进其进一步研究及应用.
ISSN:	2095-8226 2199-4501